共 60 道题 · 更新至 2026-06-29
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用（）系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
填空题半导体芯片制造工·2026-06-27
禁带宽度的大小决定着（）的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素，如高温和…
门阵列的基本结构形式有两种：一种是晶体管阵列，一种是门阵列（）
判断半导体芯片制造工·2026-06-27
外壳设计包括（）设计、热性能设计和结构设计三部分，而可靠性设计也包含在这三部分中间。
单选半导体芯片制造工·2026-06-27
厚膜浆料存在触变性，流体受到外力作用时黏度迅速下降，外力消失后，黏度迅速恢复原状。（）
白光照射二氧化硅时，不同的厚度有不同的（）。
填空题半导体芯片制造工·2026-06-20
说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫（）：
单选半导体芯片制造工·2026-06-20
腐蚀V形槽一般采用（）的湿法化学腐蚀方法。
目前在半自动化和自动化的键合机上用的金丝或硅铝丝都是经生产厂家严格处理包装后销售，一般不能再退火，一经退火反而坏了性能。…
判断半导体芯片制造工·2026-06-20
二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行（）扩散。
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。（）
以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
短答题半导体芯片制造工·2026-06-20
简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。
最常用的金属膜制备方法有（）加热蒸发、（）蒸发、（）。
单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列，并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。（）
变容二极管的电容量随（）变化。
按蒸发源加热方法的不同，真空蒸发工艺可分为：（）蒸发、（）蒸发、离子束蒸发等。
多选半导体芯片制造工·2026-06-20
CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率？
位错就是由范性形变造成的，它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离，位移区与非位移区交界处必有原子的…
说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
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